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功率半導體器件

IGBT及FRD模塊:

高壓系列模塊

簡介:

  • 采用中車第4代DMOS*芯片和第5代TMOS芯片,具有低導通壓降、軟關斷特性、正溫度系數(shù)和易并聯(lián)等特點。該系列產品涵蓋3300V至6500V電壓范圍,封裝和電路結構靈活多變,適用于各種并聯(lián)應用場景。產品采用高熱匹配的AISiC基板和AIN襯板材料封裝而成,在熱循環(huán)、功率循環(huán)、機械沖擊等可靠性方面具有明顯優(yōu)勢,可以滿足頻繁啟動和長距離運行的工況需求。

產品參數(shù):

集電級發(fā)射級電壓 3300V-6500V
集電極電流 250A-1600A
最高結溫℃ 125℃-150℃

應用:

已批量應用于電力機車、高速動車組、地鐵等軌道交通領域和其他大功率變頻器裝置領域。

中低壓系列模塊

簡介:

  • 采用中車第7代超精細溝槽芯片,具有高電流密度、低開關損耗、高工作結溫等特點。采用Cu 基板,選用高性能導熱材料,具有散熱性能好、高電流密度、高可靠性等特點。該系列產品涵蓋電流 40A 至 3600A,電壓 950V 至 1700V,具備定制化調整的能力,可根據(jù)客戶需求調整 IGBT 安全工作裕量、耗損分配、過載能力等特性,適應各行業(yè)應用。

產品參數(shù):

集電級發(fā)射級電壓 950V-1700V
集電極電流 40A-3600A
最高結溫℃ 125℃-150℃

應用:

已批量應用于新能源風電、光伏、變頻器、SVG、中頻感應加熱等領域

壓接式系列模塊

簡介:

  • 采用中車第4代DMOS+、第5代TMOS芯片,具有低導通壓降、低開關損耗、軟關斷特性等特點。該系列產品采用雙面焊接和柔性壓接技術,具有高壓大容量、高可靠性、高過載能力等特點,可滿足遠距離、大容量的柔性直流輸電工程的需求,滿足復雜高壓電磁環(huán)境適應性以及高可靠運行的要求。

產品參數(shù):

集電級發(fā)射級電壓 4500V-6500V
集電極電流 1500A-5000A
最高結溫℃ 125℃-150℃

應用:

批量應用于柔性直流輸電工程。

汽車系列模塊

簡介:

  • 采用中車第7.5代超精細溝槽芯片,具有高電流密度、低開關損耗、高工作結溫等特點。采用直接水冷基板,選用高性能導熱材料,該系列產品涵蓋 400A 至 1200A 電流范圍,單模塊最大可滿足 250kW 電機需求。具備低運行損耗特征,滿足汽車的急速啟停、陡坡爬升、高速運行、振動顛簸等工況。

產品參數(shù):

集電級發(fā)射級電壓 750V-1300V
集電極電流 400A-1200A
最高結溫℃ 150℃-175℃

應用:

已批量應用于新能源電動汽車領域。

FRD系列模塊

簡介:

  • 采用中車第7代注入效率控制FRD,具有低導通損耗,軟恢復特性,正溫度系數(shù),高工作結溫等特點。該系列產品具備足夠安全工作裕量和高可靠性,涵蓋1200V至6500V電壓范圍。

產品參數(shù):

正向峰值電壓 2500V-6500V
正向平均電流 400A-1200A
最高結溫℃ 125℃

應用:

軌道交通和工業(yè)領域。